新入荷 再入荷

品質のいい キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の 洋書

flash sale icon タイムセール
終了まで
00
00
00
999円以上お買上げで送料無料(
999円以上お買上げで代引き手数料無料
通販と店舗では販売価格や税表示が異なる場合がございます。また店頭ではすでに品切れの場合もございます。予めご了承ください。
中古 6600円 (税込)
数量

商品詳細情報

管理番号 中古 :27880364251 メーカー 06e6634 発売日 2025-05-16 09:50 定価 12000円
カテゴリ

品質のいい キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の 洋書

キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の。キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の。神谷・片瀬研究室 (東京工業大学 物質理工学院 材料系。Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO : Application to Lsi (Wiley-sid Series in Display Technology)2017 John Wiley and Sons酸化物半導体IGZOのLSI応用をまとめた書籍です。OSLSI - 研究開発 | 株式会社半導体エネルギー研究所。This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process.
  • キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の
  • キオクシア:酸化物半導体を用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の
  • 神谷・片瀬研究室 (東京工業大学 物質理工学院 材料系
  • OSLSI - 研究開発 | 株式会社半導体エネルギー研究所
  •  

    商品情報の訂正

    このページに記載された商品情報に記載漏れや誤りなどお気づきの点がある場合は、下記訂正依頼フォームよりお願い致します。

    訂正依頼フォーム

    商品レビュー

    レビューの投稿にはサインインが必要です